Samsung Electronics und AMD unterzeichneten am Mittwoch eine Absichtserklärung zur Ausweitung der Zusammenarbeit im Bereich kritischer Speichereinrichtungen für künstliche Intelligenz und erforschen mögliche Kooperationsmöglichkeiten im Bereich der Chipfertigung.
Laut der Erklärung beider Unternehmen wird Samsung der kommende Instinct MI455X-Beschleuniger von AMD mit der nächsten Generation von High-Bandwidth Memory HBM4 ausgestattet und optimierte DDR5-Speicherlösungen für den sechsten Generation EPYC-Prozessor bereitstellen.
Das Abkommen festigt Samsungs Stellung in der HBM-Lieferkette weiter. Zuvor hat das Unternehmen bereits HBM3E-Chips für die AMD MI350X und MI355X Beschleuniger bereitgestellt.
Beide Parteien erklärten zudem, die Möglichkeit zu evaluieren, dass Samsung AMD für die nächste Produktgeneration Foundry-Dienstleistungen anbietet, was auf eine Ausweitung der Zusammenarbeit von der Speicherlieferung auf die breitere Halbleiterfertigung hinweist.
Diese Ankündigung kommt zeitgleich zur jährlichen GTC-Entwicklerkonferenz von Nvidia. Nvidia-CEO Jensen Huang betonte auf der Konferenz ebenfalls die Zusammenarbeit des Unternehmens mit Samsung im HBM4- und Foundry-Bereich.
