A Samsung Electronics e a AMD assinaram na quarta-feira um memorando de entendimento para expandir a cooperação no campo crítico de memória de infraestrutura de inteligência artificial e explorar potencial colaboração em fabricação de chips.
De acordo com a declaração de ambas as partes, a Samsung fornecerá a memória de alta largura de banda de próxima geração HBM4 para o acelerador Instinct MI455X da AMD, bem como soluções otimizadas de memória DDR5 para o seu processador EPYC de sexta geração.
Este acordo fortalece ainda mais a posição da Samsung na cadeia de fornecimento de HBM. Anteriormente, a empresa já havia fornecido chips HBM3E para os aceleradores AMD MI350X e MI355X.
As duas partes também afirmaram que avaliarão a possibilidade da Samsung fornecer serviços de fabricação de wafers para os produtos de próxima geração da AMD, demonstrando que a cooperação está se estendendo do fornecimento de memória para o campo mais amplo de fabricação de semicondutores.
A divulgação desta notícia coincide com o período em que a NVIDIA está organizando sua conferência anual de desenvolvedores GTC. O CEO da NVIDIA, Jensen Huang, também destacou a cooperação da empresa com a Samsung nos domínios de HBM4 e fabricação de wafers durante o evento.
