Samsung Electronics và AMD đã ký kết biên bản ghi nhớ vào thứ Tư nhằm mở rộng hợp tác trong lĩnh vực bộ nhớ quan trọng của cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo, đồng thời khám phá hợp tác tiềm năng trong lĩnh vực gia công chip.
Theo tuyên bố từ hai bên, Samsung sẽ cung cấp bộ nhớ băng thông cao thế hệ kế tiếp HBM4 cho bộ tăng tốc Instinct MI455X sắp ra mắt của AMD và cung cấp giải pháp bộ nhớ DDR5 được tối ưu hóa cho bộ xử lý EPYC thế hệ thứ sáu của hãng.
Thỏa thuận này càng củng cố vị thế của Samsung trong chuỗi cung ứng HBM. Trước đó, công ty đã cung cấp chip HBM3E cho các bộ tăng tốc AMD MI350X và MI355X.
Hai bên cũng cho biết sẽ đánh giá khả năng Samsung cung cấp dịch vụ gia công wafer cho các sản phẩm thế hệ tiếp theo của AMD, cho thấy rằng hợp tác đang mở rộng từ cung cấp bộ nhớ sang lĩnh vực sản xuất bán dẫn rộng hơn.
Thông báo này được đưa ra vào lúc Nvidia tổ chức Hội nghị các nhà phát triển GTC hàng năm của mình. Giám đốc điều hành Nvidia, Jensen Huang, cũng nhấn mạnh sự hợp tác của công ty với Samsung trong lĩnh vực HBM4 và gia công tại hội nghị.
